クリップスタンドに固定してFETと30KΩの抵抗を固定
SKI0321(30V85A)を使用しています
左側のG(ゲート)には100Ωを介してトリガーSWにいくので
基盤プリントをカットして表面実装の抵抗を付ける
右のS(ソース)とG(ソース)の間の抵抗の足を一緒にハンダ付け
出来上がりのサイズは
約13x28mmサイズ
配線を付けて、収縮チューブで保護
これで完成今回はハンダも綺麗に出来ました。
さてと次は修理です。
7年ほど前の輸入モデル『AUG』についていたMOSFET
息子がゲーム中にフルオート乱射状態に
そうなんです、FETがショート状態,外してとりあえずノーマルにして
基盤は放置、やっと修理する気になりましたとりあえずばらばらに
原因はしょぼいハンダ付け、バッテリーの電圧低下などで
FETのオーバーヒートでしょうね。
概ね前日の準備でバッテリー充電、作動テスト・・・でそのままに
FETはそのままでもわずかに電力を消費している
当日すでに電圧降下始まっている+接触抵抗による低下で
結果的にオーバーヒート、素子破損となったのでしょうね。
元々のFETよりグレードアップして基盤も確認してヒューズも付け
ヒートプレート兼ねたアルミケースは使わず収縮チューブで仕上げ
内部に余裕のあるGUNに使うようにします。
SKI0321(30V85A)を使用しています
左側のG(ゲート)には100Ωを介してトリガーSWにいくので
基盤プリントをカットして表面実装の抵抗を付ける
右のS(ソース)とG(ソース)の間の抵抗の足を一緒にハンダ付け
出来上がりのサイズは
約13x28mmサイズ
配線を付けて、収縮チューブで保護
これで完成今回はハンダも綺麗に出来ました。
さてと次は修理です。
7年ほど前の輸入モデル『AUG』についていたMOSFET
息子がゲーム中にフルオート乱射状態に
そうなんです、FETがショート状態,外してとりあえずノーマルにして
基盤は放置、やっと修理する気になりましたとりあえずばらばらに
原因はしょぼいハンダ付け、バッテリーの電圧低下などで
FETのオーバーヒートでしょうね。
概ね前日の準備でバッテリー充電、作動テスト・・・でそのままに
FETはそのままでもわずかに電力を消費している
当日すでに電圧降下始まっている+接触抵抗による低下で
結果的にオーバーヒート、素子破損となったのでしょうね。
元々のFETよりグレードアップして基盤も確認してヒューズも付け
ヒートプレート兼ねたアルミケースは使わず収縮チューブで仕上げ
内部に余裕のあるGUNに使うようにします。
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